忘记密码  注册       登录
首页 > 学会动态 > 学会工作信息
第三届国际先进光刻技术研讨会总结
阅读次数:3504
  2019年10月17-18日,第三届国际先进光刻技术研讨会(IWAPS 2019)在南京召开。研讨会历时两天,由集成电路产业技术创新联盟和中国光学学会主办,中国科学院微电子研究所、南京市浦口高新区和南京市浦口区科学技术局承办,南京诚芯集成电路技术研究院协办,IEEE南京分会提供技术支持。包括到会的媒体人员,会议约400余人参会。本次研讨汇集了来自北美、欧洲、以色列、日本、韩国、印度、中国大陆及台湾地区等共计13个国家和地区的业界领导、资深专家以及学者,聚焦先进节点,就光刻领域相关的热点问题进行了交流和探讨,为国内先进节点光刻工艺的研发提供技术思路、指导和答疑。会议期间,嘉宾云集,讨论热烈,会议达到了交流技术、搭建平台的办会初衷,圆满落幕。



图1  第三届国际先进光刻技术研讨会合影
 
  会议开始,大会主席、集成电路产业技术创新联盟理事长、科技部原副部长曹健林研究员,国家科技重大专项电子信息领域监督评估组组长、国家外国专家局原局长马俊如研究员,大会副主席、中国科学院微电子研究所所长、国家02科技重大专项技术总师叶甜春研究员,南京市浦口区区委副书记、区长曹海连,中国光学学会秘书长、浙江大学光电工程研究所所长刘旭教授,以及IEEE 终身会士Shinji Okazaki分别致辞。大会秘书长、中科院微电子研究所计算光刻研发中心主任韦亚一研究员主持开幕式。会议期间,来自劳伦斯伯克利国家实验室(Lawrence Berkeley National Laboratory,LBNL)、ZEISS、Mentor等公司的专家作特邀报告,深入分析了光刻领域先进节点最新的技术手段和解决方案,内容丰富,包含7nm及以下先进节点的计算光刻技术、SMO、DTCO、EUV、机器学习、光刻设备、材料等。
 


图2  领导致辞
 
  为承上启下,总结经验,IWAPS会务组从参会概况、会议内容、会后反响等方面对本届研讨会做分析总结:

一、研讨会概况:

1.1 参会单位/人员数据分析
  本届研讨会去除媒体记者外,共计吸引了356名嘉宾参会。相比去年304人参会,参会人数增加17%。本次研讨会的外籍参会者61人,与去年基本持平。参会者的所属领域覆盖了光刻相关的产业链,包括:设计公司、Fab、设备、材料、EDA vendor等。中央网信办信息化发展局也派专人前来参会,并提出了意见和指导。
  参会单位多为产业链上下游的从业人员,兼有科研院校的学者。设备和材料领域人数最多,参与度最高,分别占比14%和19%。说明这两个领域对于先进节点的技术交流需求度很高,这与当前国内光刻相关的设备和材料产业虽然技术节点稍显落后,但是发展蓬勃的态势吻合。
  设计公司占比偏低,约2%,原因是按照传统的半导体产业链分工模式,设计和Fab是分离的两极,光刻被认为是工艺环节,设计方无需考虑。不过值得一提的是,今年国内设计的龙头企业深圳海思半导体派出了多位代表参会,同时也贡献了精彩的设计工艺联合优化(DTCO)技术报告,说明技术较为领先的设计企业已认识到基于光刻的DTCO的必要性。后续IWAPS将继续从概念和具体实施技术上多渠道推动,帮助设计企业和Fab建立DTCO的能力。

1.2 参会赞助商数据分析
  本次赞助商均为光刻产业链的知名国际企业和知名本土企业。参会赞助商共计16家,包括:中芯国际(SMIC)、长江存储(YMTC)、华虹集团、Mentor、Photronics、KLA、ASML、TEL、ZEISS、JSR、Synopsys、上海微电子装备(集团)股份有限公司(SMEE)、ASML Brion、积塔半导体、Cymer、南大光电(Nata)、沈阳芯源。数量保持了去年的水平。

二、本届会议亮点:

1. 演讲报告水准不断提升
  本届研讨会共计报告38个,涵盖了计算光刻、SMO、DTCO、光刻设备、光刻材料、EUV、DSA、设计规则等先进节点下光刻领域的关键技术,其中海外专家15人。演讲嘉宾均为活跃在所在领域的一线资深研发专家,既有足够的产业视野,又熟知本领域最新技术节点的研发态势和具体技术细节。例如Lawrence Berkeley National Lab的PatrickNaulleau(Director of the Center for X-ray Optic), TechInsights的Jeongdong Choe(Senior Technical Fellow)等。
 
 
图3  外国专家报告
 
  为保证会议内容的质量、深度和广度,本届研讨会大部分报告依然保持了邀请报告的传统。会务组在充分调研基础上,前期就报告主题与演讲人均做了充分沟通和讨论,以保证报告主题契合本届研讨会在技术先进性以及深度和广度上的要求。在演讲时长的设置上,继续沿用了大报告/小报告有机结合的方式,各侧重于技术问题的深度与广度,且交叉安排,松弛有度。
 


图4 演讲嘉宾
 
  本次会议参会者反响热烈,会场一直处于满员状态,演讲嘉宾和听众互动精彩叠现。
 

图5 观众提问
 
  会议期间,在与与会者的交流中,他们认为本次研讨会保持了上届研讨会技术水准高、行业覆盖广的特点,报告内容较之上届更为丰富,深度和广度都有一定程度的提升。在会议组织和安排上周到有序,对会议日程、内容、演讲嘉宾以及会务服务均给予了高度肯定和评价。
 
2. 与学界深度融合
  本届研讨会增加了中国光学学会作为主办方,开启了“集成电路产业技术创新联盟”和“中国光学学会主办”双主办方的全新模式。这种模式有利于将联盟在产业和应用的优势和光学学会在学术界的号召力和影响有机融合,打破产业和学术之间的疆界,促进双方在研究、人才等多方面的交流。今年研讨会的所有报告中,来自学术界的报告占比24%,超过去年17%的比例,来自学术界的参会人数为71人,占比约20%,超过去年16.8%的比例,这些变化都印证了产学融合的效果。
  此外,今年IWAPS还尝试开设了学术墙板,在14个墙板论文中,学术界的投稿占了10个,占比约71%,充分说明了学界对于IWAPS的学术水平和影响力的认同。

3. 提升了应用端参与程度
  Fab和设计公司是光刻技术应用的两极。针对前两届研讨会制造和设计端的参与程度偏低的问题,今年IWAPS加强了与Fab和设计公司的沟通。作为光刻相关链条中重要的一环,Fab的参会人数和产商已经超过上届。此外,在今年的38个报告中,Fab贡献了8个技术报告,远超去年2个报告的水平。此外,今年国内设计公司的领军企业华为海思,也派技术专家作精彩技术报告,分享了其在设计工艺联合优化领域的心得。这说明通过二届研讨会的召开和推广,光刻技术在应用端的重要性也越来越得以重视和体现。

三、未来方向:

  本着每年都有变化,每年都有进步的办会方针。会议期间我们也认真听取了各方领导和参会嘉宾的意见,总结和梳理为以下二个方面:

1. 继续加强与学术界的融合
  光刻涉及到的领域涵盖了设计、设备、材料、计算仿真等各个环节,既广博又精专,即需要从产业角度去具体落地,同时也需要从学术研究上给予支撑。本次研讨会期间,光学学会刘旭秘书长、光学学会的李艳秋教授、王向朝研究员,与IWAPS秘书长韦亚一研究员一起,就未来IWAPS未来与光学学会深度融合的事宜进行了探讨。最后形成一致意见,拟成立光学学会光刻技术专委会。专委会以中科院微电子所为依托单位,基于IWAPS目前参会各单位为基本框架,整合国内产学研光刻技术相关的优势资源,以光刻设备、材料、工艺、掩模、EDA软件和检测为主要领域,以技术为牵引,以应用为切入,提倡学科交叉,形成产学研并重的面向光刻技术的专委会。专委会和IWAPS后续将形成积极联动,共同推荐国内光刻技术的进步和发展。

2. 深化国内外技术、人才、产业对接
  国内集成电路产业当前呈现出蓬勃发展的局势,同时也面临折国外步步紧逼的技术封锁。IWAPS作为学术交流平台,我们希望能通过这个平台,展示国内集成电路产业的活力和旺盛需求,实现技术交流、人才交互,为技术迁移做铺垫,为引进人才做桥梁,吸引产业链的高端人才为我所用,同时带动国内集成电路产业的技术升级,努力将IWAPS打造为一个中国集成电路行业的技术、人才、产业对接的平台!
版权所有:中国光学学会 沪ICP备05015387号-8 最佳分辨率:1024x768 IE8及以上,Chrome,FF最新版
©copyright 2013 中国光学学会 All Rights Reserved 未经许可 不得转载
电话:010-62103235 (张建萍) 010-62103236 (翟 林) 010-62103275 (贾瑞卿) 010-62103292 (熊 玮)
邮箱:cos@cast.org.cn
地址:北京市海淀区学院南路86号中国科协综合业务楼201室 技术支持:《中国激光》杂志社